以防價格出現萎縮 Samsung、SK-Hynix 推遲產能擴張計劃

来源:电脑领域hkepc ·2018年09月07日 16:00

【未跌價就減產 ?!】以防價格出現萎縮

Samsung、SK-Hynix 推遲產能擴張計劃

文 : Cherry Kwok / 新聞中心

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市場上有不少音讯都指 2018 年 NAND Flash 因供過於求而跌價,DRAM 則最快在本年年尾開始降價,但其實在零售市場上亦未有太大的改變,日前摩根士丹利表明 DRAM 市況在近幾週以來有惡化跡象,NAND Flash 更因供給過剩出現壓力,韓台 DRAM 股隨即在 9 月 6 日出現大挫。為了解決 2019 年上半年可能會出現需求轉弱的問題,最新有音讯指 Samsung 及 SK-Hynix 有意更改產能擴張計劃,防止出現供給過剩的情況。

根據 DigiTimes 獲得業內人士的音讯稱,儘管第三季度是傳統的旺季,但全球 NAND Flash 市場仍處於供過於求狀態,供應商持續添加 64 層和 72 層 3D NAND Flash 輸出,同時已飽和的筆記本電腦和智能手機市場導致的需求增長有限,加上行業供應鏈充满著不合規格的 NAND Flash,這對 NAND 價格產生了進一步的負面影響,第三季度 NAND Flash 合約價格可能會跌落 10-15%,高於預期,第四季度將再跌落 15%。

DRAM 合約價格亦出現跌落跡象,音讯人士稱,隨著市場供過於求及下流的需求逐漸趨於疲軟,預計第四季度 DRAM 合約價格將開始跌落。市場預期客戶需求將持續放緩,導致 2019 年上半年 NAND Flash 及 DRAM 記憶體價格將接受下行壓力。

DigiTimes 指出,Samsung 及 SK-Hynix 正计划緩減 DRAM 及 NAND Flash 的擴張計劃,行業龍頭的 Samsung 已怠慢其 DRAM 及 3D NAND 晶片產量擴張的脚步,預期新產能不可能在 2019 年上半年上線。同時,音讯人士亦稱 Samsung 還暫停了其計劃在華城平和澤的工廠為 1ynm DRAM 晶片添加新的生產才干的計劃,本来的計劃是由 2018 年第三季度開始每月為 DRAM 記憶體添加 30,000 片晶圓,但现在將大幅減少。至於 SK-Hynix,亦將決定怠慢其新的 3D NAND 晶片容量擴展項意图脚步。

在面對需求降溫 Samsung 及 SK-Hynix 的庫存會逐漸推高的情況,將對產業後市形成晦气,明顯地 Samsung 及 SK-Hynix 緩減產能擴張計劃意图是為了讓 " 需求高於製造產能 ", 以坚持 DRAM 及 NAND 產品的定價,雖然 NAND 產品每 GB 的價格一直在下降,但其實各廠商均期望以較低的產值阻挠出現較低需求的情況。就現時情況而言,若果要看到 DRAM 價格下降到曾经的水平,可能還需求一段很長的時間才干實現。

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